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樊志军, 半导体学报, 2001, 22(5), 569 被引 3 次 

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来源 年代 作者 学科
1. 液晶与显示(1) 1. 2008(1) 1. 崔苗 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所(1) 1. 物理学(2)
2. 光学学报(1) 2. 2004(1) 2. 张野芳 浙江海洋大学(1) 2. 电子技术、通信技术(1)
3. 半导体光电(1) 3. 2011(1) 3. 周桃飞 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所(1)

    题名 作者 来源 被引频次
1 In组分对InGaN/GaN蓝光LED的发光性质的影响
详细信息 
崔苗; 周桃飞; 张锦平
显示更多作者
光学学报, 2011, 31(10), 1016004-1-1016004-5 2
2 InGaN/GaN多量子阱的变温发光特性研究
详细信息 
孔令民; 李鼎; 张野芳
显示更多作者
半导体光电, 2008, 29(6), 909-912 1
3 掺硅InGaN和掺硅GaN的光学性质的研究
详细信息 
康凌; 刘宝林; 蔡加法
显示更多作者
液晶与显示, 2004, 19(4), 266-269 3
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