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樊志军,
半导体学报, 2001, 22(5), 569 被引 3 次
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来源
年代
作者
学科
1. 液晶与显示(1)
1. 2008(1)
1. 崔苗 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所(1)
1. 物理学(2)
2. 光学学报(1)
2. 2004(1)
2. 张野芳 浙江海洋大学(1)
2. 电子技术、通信技术(1)
3. 半导体光电(1)
3. 2011(1)
3. 周桃飞 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所(1)
题名
作者
来源
被引频次
1
In组分对InGaN/GaN蓝光LED的发光性质的影响
详细信息
崔苗;
周桃飞;
张锦平
黄小辉
显示更多作者
光学学报, 2011, 31(10), 1016004-1-1016004-5
2
2
InGaN/GaN多量子阱的变温发光特性研究
详细信息
孔令民;
李鼎;
张野芳
宿刚;
薛江蓉;
姚建明;
吴正云
显示更多作者
半导体光电, 2008, 29(6), 909-912
1
3
掺硅InGaN和掺硅GaN的光学性质的研究
详细信息
康凌;
刘宝林;
蔡加法
潘群峰
显示更多作者
液晶与显示, 2004, 19(4), 266-269
3
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