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3 篇文献引用了这篇文献
李代宗,
半导体学报, 2000, 21(11), 1111 被引 3 次
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检索结果分布(3)
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题名
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作者
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来源
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被引频次
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用X射线衍射研究缓冲层对GaInAs材料的影响
详细信息
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焦岗成;
刘正堂;
石峰
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半导体技术, 2012, 37(4), 288-290,325 |
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2
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H2对UHV／CVD低温选择性外延生长Si1-xGex的影响
详细信息
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赵星;
叶志镇;
吴贵斌
显示更多作者
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半导体学报, 2006, 27(1), 78-81 |
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3
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Si/SiGe-OI应变异质结构的高分辨电子显微分析
详细信息
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马通达;
屠海令;
邵贝羚
显示更多作者
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半导体学报, 2004, 25(9), 1123-1127 |
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