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共有 3 篇文献引用了这篇文献
于卓, 半导体学报, 2000, 21(10), 962 被引 3 次 

检索结果分布(3)
来源 年代 作者 学科
1. 中南大学学报. 自然科学版（1） 1. 2005（1） 1. 黄培云 中南大学（2） 1. 电子技术、通信技术（2）
2. 半导体学报（1） 2. 2004（1） 2. 陈振华 湖南大学（2） 2. 一般工业技术（1）
3. 材料导报（1） 3. 2002（1） 3. 罗益民 中南大学（2）

    题名 作者 来源 被引频次
1 Ge+注入Si1-x Gex/Si异质结的退火行为
详细信息  		罗益民; 陈振华; 黄培云
中南大学学报. 自然科学版, 2005, 36(4), 560-565 1
2 硅中高剂量锗离子注入的快速热退火研究
详细信息  		罗益民; 陈振华; 黄培云
材料导报, 2004, 18(7), 101-103 1
3 Near-Infrared Si_(0.7)Ge_(0.3)Si p-i-n Photodetector Fabricated on SOI in CMOS Technology
详细信息  		Guo Hui; Guo Weilian; Zheng Yunguang
显示更多作者 		半导体学报, 2002, 23(1), 16-20 1
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