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共有 2 篇文献引用了这篇文献
曹昕, 半导体学报, 2000, 21(9), 934 被引 2 次 

检索结果分布(2)
来源 年代 作者 学科
1. 半导体学报（2） 1. 2004（2） 1. He Zhijing 中国科学院微电子研究所（1） 1. 电子技术、通信技术（2）
2. Wu Dexin 中国科学院微电子研究所（1）
3. 魏珂 中国科学院微电子研究所（1）

    题名 作者 来源 被引频次
1 新型双异质结双平面掺杂功率PHEMT
详细信息  		陈震; 和致经; 魏珂
显示更多作者 		半导体学报, 2004, 25(4), 454-457 0
2 Device Characteristics Comparison Between GaAs Single and Double Delta-Doped Pseudomorphic High Electron Mobility Transistors
详细信息  		Chen Zhen; Zheng Yingkui; Liu Xinyu
显示更多作者 		半导体学报, 2004, 25(3), 247-251 1
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