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陆大成, 半导体学报, 2000, 21(4), 414 被引 5 次 

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来源 年代 作者 学科
1. 半导体学报(3) 1. 2001(2) 1. 陆大成 中国科学院半导体研究所(3) 1. 电子技术、通信技术(5)
2. 液晶与显示(1) 2. 2006(1) 2. 汪度 中国科学院半导体研究所(3) 2. 物理学(1)
3. 高技术通讯(1) 3. 2002(1) 3. 刘祥林 中国科学院半导体研究所(3)

    题名 作者 来源 被引频次
1 抛物线型衬底InGaN/GaN发光二极管的模拟研究
详细信息 
夏长生; 李志锋; 王茺
显示更多作者
半导体学报, 2006, 27(1), 100-104 2
2 Tunnel Junction AlGaInP Light Emitting Diode
详细信息 
Wang Guohong; Shen Guangdi; Guo Xia
显示更多作者
半导体学报, 2002, 23(6), 628-631 1
3 MOVPE生长的GaN基蓝色与绿色LED
详细信息 
陆大成; 刘祥林; 韩培德
显示更多作者
液晶与显示, 2001, 16(1), 1 1
4 MOVPE生长InGaN/GaN单量子阱绿光LED
详细信息 
王晓晖; 刘祥林; 陆大成
显示更多作者
高技术通讯, 2001, 11(2), 38 0
5 InGaN/GaN单量子阱绿光发光二极管
详细信息 
王晓晖; 刘祥林; 陆大成
显示更多作者
半导体学报, 2000, 21(7), 726 3
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