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检索结果分布(3)

来源	年代	作者	学科
1. 半导体学报（3）	1. 2000（2）	1. 段树坤中国科学院半导体研究所（3）	1. 电子技术、通信技术（3）
	2. 2001（1）	2. 陆大成中国科学院半导体研究所（3）

	题名	作者	来源	被引频次
1	MOVPE生长Ga_xAl_yIn_（1-x-y）N的准热力学模型（英文）详细信息	陆大成; 段树坤	半导体学报, 2001, 22(6), 677	0
2	Quasi-Thermodynamic Model of MOVPE of InAlN 详细信息	陆大成; 段树坤	半导体学报, 2000, 21(8), 729	1
3	A Quasi-Therm odynam ic Model of MOVPE of InGaN 详细信息	陆大成; 段树坤	半导体学报, 2000, 21(2), 105	4

共有 3 篇文献引用了这篇文献 陆大成, 半导体学报, 1999, 20(11), 1026 被引 3 次