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篇文献引用了这篇文献
陆大成,
半导体学报, 1999, 20(11), 1026 被引 3 次
检索结果分布(3)
来源
年代
作者
学科
1. 半导体学报(3)
1. 2000(2)
1. 段树坤 中国科学院半导体研究所(3)
1. 电子技术、通信技术(3)
2. 2001(1)
2. 陆大成 中国科学院半导体研究所(3)
题名
作者
来源
被引频次
1
MOVPE生长Ga_xAl_yIn_(1-x-y)N的准热力学模型(英文)
详细信息
陆大成;
段树坤
半导体学报, 2001, 22(6), 677
0
2
Quasi-Thermodynamic Model of MOVPE of InAlN
详细信息
陆大成;
段树坤
半导体学报, 2000, 21(8), 729
1
3
A Quasi-Therm odynam ic Model of MOVPE of InGaN
详细信息
陆大成;
段树坤
半导体学报, 2000, 21(2), 105
4
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