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4 篇文献引用了这篇文献
刘祥林,
半导体学报, 1999, 20(7), 529 被引 4 次
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检索结果分布(4)
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题名
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作者
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来源
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被引频次
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成核层温度对非掺杂GaN外延薄膜结晶质量的影响
详细信息
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孙成真;
贾志刚;
尚林
显示更多作者
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人工晶体学报, 2015, 44(8), 2123-2129 |
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2
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n型GaN薄膜输运性质与发光研究
详细信息
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张曾;
张荣;
谢自力
显示更多作者
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中国科学. G辑, 物理学，力学，天文学, 2008, 38(9), 1221-1227 |
1
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3
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掺Si对MOCVD生长的GaN单晶膜的黄带发射及生长速率的影响
详细信息
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李述体;
莫春兰;
李鹏
显示更多作者
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功能材料与器件学报, 2000, 6(4), 385 |
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4
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MOCVD生长InGaN/AlGaN双异质结构与GaN过渡层的工艺与特性
详细信息
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林秀华
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发光学报, 2000, 21(4), 324 |
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