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篇文献引用了这篇文献
王启元,
半导体学报, 1999, 20(6), 458 被引 2 次
检索结果分布(2)
来源
年代
作者
学科
1. 半导体学报(1)
1. 2004(1)
1. 杨德仁 浙江大学(2)
1. 电子技术、通信技术(2)
2. 材料导报(1)
2. 2003(1)
2. 阙端麟 浙江大学(2)
3. 马向阳 浙江大学(2)
题名
作者
来源
被引频次
1
重掺杂直拉硅单晶氧沉淀及其诱生二次缺陷
详细信息
黄笑容;
杨德仁;
沈益军
王飞尧;
马向阳;
李立本;
阙端麟
显示更多作者
半导体学报, 2004, 25(6), 662-667
2
2
超大规模集成电路硅片的内吸杂
详细信息
汤艳;
杨德仁;
马向阳
李东升;
攀瑞新;
阙端麟
显示更多作者
材料导报, 2003, 17(5), 73-78,81
1
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