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王启元, 半导体学报, 1999, 20(6), 458 被引 2 次 

检索结果分布(2)
来源 年代 作者 学科
1. 半导体学报(1) 1. 2004(1) 1. 杨德仁 浙江大学(2) 1. 电子技术、通信技术(2)
2. 材料导报(1) 2. 2003(1) 2. 阙端麟 浙江大学(2)
3. 马向阳 浙江大学(2)

    题名 作者 来源 被引频次
1 重掺杂直拉硅单晶氧沉淀及其诱生二次缺陷
详细信息 
黄笑容; 杨德仁; 沈益军
显示更多作者
半导体学报, 2004, 25(6), 662-667 2
2 超大规模集成电路硅片的内吸杂
详细信息 
汤艳; 杨德仁; 马向阳
显示更多作者
材料导报, 2003, 17(5), 73-78,81 1
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