帮助 关于我们

共有 篇文献引用了这篇文献
邹德恕, 半导体技术, 2000, 25(1), 36 被引 1 次 

检索结果分布(1)
来源 年代 作者 学科
1. 半导体技术(1) 1. 2012(1) 1. 胡仓陆 微光夜视技术国防科技重点实验室(1) 1. 电子技术、通信技术(1)
2. 焦岗成 西北工业大学(1)
3. 徐晓兵 微光夜视技术国防科技重点实验室(1)

    题名 作者 来源 被引频次
1 用X射线衍射研究缓冲层对GaInAs材料的影响
详细信息 
焦岗成; 刘正堂; 石峰
显示更多作者
半导体技术, 2012, 37(4), 288-290,325 0
版权所有 ©2008 中国科学院文献情报中心 制作维护:中国科学院文献情报中心
地址:北京中关村北四环西路33号 邮政编码:100190 联系电话:(010)82627496 E-mail:cscd@mail.las.ac.cn 京ICP备05002861号-4 | 京公网安备11010802043238号