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Wu Kui, Chinese Physics. B, 2014, 23(2), 028504-1-028504-4 被引 6 次 

检索结果分布(6)
来源 年代 作者 学科
1. Chinese Physics. B(3) 1. 2014(3) 1. 黄亚平 西安交通大学(2) 1. 物理学(6)
2. 物理学报(3) 2. 2015(2) 2. 云峰 西安交通大学(2) 2. 晶体学(2)
3. 2016(1) 3. 丁文 西安交通大学(2) 3. 电子技术、通信技术(1)

    题名 作者 来源 被引频次
1 Enhanced light extraction of GaN-based light-emitting diodes with periodic textured SiO_2 on Al-doped ZnO transparent conductive layer
详细信息 
Zhao Yu; Fan Bingfeng; Chen Yiting
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Chinese Physics. B, 2016, 25(7), 078502-1-078502-4 2
2 晶圆键合和激光剥离工艺对GaN基垂直结构发光二极管芯片残余应力的影响
详细信息 
王宏; 云峰; 刘硕
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物理学报, 2015, 64(2), 028501-1-028501-8 2
3 光致电化学法提高垂直结构发光二极管出光效率的研究
详细信息 
弓志娜; 云峰; 丁文
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物理学报, 2015, 64(1), 018501-1-018501-7 2
4 A quantum efficiency analytical model for complementary metal–oxide–semiconductor image pixels with a pinned photodiode structure
详细信息 
Cao Chen; Zhang Bing; Wu Longsheng
显示更多作者
Chinese Physics. B, 2014, 23(12), 124215-1-124215-9 5
5 Direct growth of graphene on gallium nitride by using chemical vapor deposition without extra catalyst
详细信息 
Zhao Yun; Wang Gang; Yang Huaichao
显示更多作者
Chinese Physics. B, 2014, 23(9), 096802-1-096802-6 1
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