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陈贵锋,
物理学报, 2011, 60(7), 076104-1-076104-4 被引 3 次
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来源
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作者
学科
1. 物理学报(2)
1. 2018(1)
1. 李百奎 深圳大学(1)
1. 电子技术、通信技术(3)
2. 半导体技术(1)
2. 2012(1)
2. 范广涵 华南师范大学(1)
3. 2021(1)
3. 刘文 深圳大学(1)
题名
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被引频次
1
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详细信息
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2
纳米柱InGaN / GaN多量子阱的干法刻蚀制备技术
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半导体技术, 2018, 43(4), 296-300
0
3
选择性p型量子阱垒层掺杂在双波长发光二极管光谱调控中的作用
详细信息
陈峻;
范广涵;
张运炎
物理学报, 2012, 61(8), 088502-1-088502-9
0
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