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雷红兵, 半导体学报, 1998, 19(5), 332 被引 2 次 

检索结果分布(2)
来源 年代 作者 学科
1. 半导体光电（1） 1. 2002（1） 1. 戴伦 北京大学（1） 1. 电子技术、通信技术（2）
2. 固体电子学研究与进展（1） 2. 1999（1） 2. 乔永平 北京大学（1）
3. 陈源 北京大学（1）

    题名 作者 来源 被引频次
1 SiO2:Er和SixO2:Er薄膜室温Er^3+1.54μm波长的电致发光
详细信息  		袁放成; 冉广照; 陈源
显示更多作者 		固体电子学研究与进展, 2002, 22(4), 492-495 0
2 Si基异质结构发光的研究现状
详细信息  		余金中
半导体光电, 1999, 20(5), 6 0
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