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4 篇文献引用了这篇文献
王晓亮,
半导体学报, 1998, 19(12), 890 被引 4 次
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检索结果分布(4)
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题名
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作者
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来源
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被引频次
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常压MOCD生长的ZnO薄膜的电学性能
详细信息
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周鹏;
王立;
方文卿
显示更多作者
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半导体学报, 2005, 26(3), 502-507 |
1
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2
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MOCVD生长的未掺杂GaN的结晶特性与补偿度关系的研究
详细信息
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辛勇;
熊传兵;
彭学新
显示更多作者
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发光学报, 2000, 21(1), 33 |
1
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3
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RF-MBE生长AlGaN/GaN极化感应二维电子气材料
详细信息
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孙殿照;
胡国新;
王晓亮
显示更多作者
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半导体学报, 2001, 22(11), 1425 |
3
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4
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Al_xGa_（1-x）N and GaN/Al_xGa_（1-x）N Quantum Wells Grown by Gas Sourc
详细信息
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王晓亮;
孙殿照;
张剑平
显示更多作者
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半导体学报, 1999, 20(5), 407 |
0
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