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韩培德,
半导体学报, 1998, 19(10), 736 被引 1 次
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来源
年代
作者
学科
1. 半导体学报（1）
1. 2001（1）
1. 李爱珍 中国科学院上海微系统与信息技术研究所（1）
1. 电子技术、通信技术（1）
2. 孙一军 中国科学院上海微系统与信息技术研究所（1）
3. 齐鸣 中国科学院上海微系统与信息技术研究所（1）
题名
作者
来源
被引频次
1
立方GaAs（100）衬底上制备单相六方GaN薄膜
详细信息
孙一军;
李爱珍;
齐鸣
半导体学报, 2001, 22(3), 313
2
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