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牛智川, 物理学报, 1997, 46(5), 969 被引 4 次 

检索结果分布(4)
来源 年代 作者 学科
1. 物理学报(3) 1. 1998(2) 1. 牛智川 中国科学院半导体研究所(3) 1. 物理学(3)
2. 半导体学报(1) 2. 2013(1) 2. 周增圻 中国科学院半导体研究所(2) 2. 电子技术、通信技术(1)
3. 2011(1) 3. 吴荣汉 中国科学院半导体研究所(2)

    题名 作者 来源 被引频次
1 InGaAs薄膜表面的粗糙化过程
详细信息 
罗子江; 周勋; 王继红
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物理学报, 2013, 62(3), 036802-1-036802-6 2
2 图形衬底量子线生长制备与荧光特性研究
详细信息 
王秀平; 杨晓红; 韩勤
显示更多作者
物理学报, 2011, 60(2), 020703-1-020703-5 0
3 GaAs均匀点状结构的分子束外延图形生长
详细信息 
牛智川; 周增圻; 吴荣汉
显示更多作者
物理学报, 1998, 47(8), 1346 0
4 三角形点结构的MBE生长及其量子阱限制能量的横向变化
详细信息 
牛智川; 周增圻; 韩勤
显示更多作者
半导体学报, 1998, 19(4), 311 0
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