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费武雄, 核技术, 2010, 33(4), 274-277 被引 3 次 

检索结果分布(3)
来源 年代 作者 学科
1. 核技术(1) 1. 2013(2) 1. 张彦秀 北京燕东微电子有限公司(2) 1. 电子技术、通信技术(3)
2. 半导体技术(1) 2. 2011(1) 2. 孙江超 北京工业大学(2)
3. 微电子学(1) 3. 谢雪松 北京工业大学(2)

    题名 作者 来源 被引频次
1 不同发射结深LPNP晶体管的抗辐照性能研究
详细信息 
吕曼; 张小玲; 张彦秀
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微电子学, 2013, 43(4), 564-567 0
2 不同发射区周长面积比双极晶体管的电离辐照效应
详细信息 
吕曼; 张小玲; 张彦秀
显示更多作者
半导体技术, 2013, 38(3), 222-226 0
3 不同偏置条件下基区掺杂浓度对NPN双极晶体管电离辐照的影响
详细信息 
席善斌; 王志宽; 陆妩
显示更多作者
核技术, 2011, 34(3), 205-208 1
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