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费武雄,
核技术, 2010, 33(4), 274-277 被引 3 次
检索结果分布(3)
来源
年代
作者
学科
1. 核技术(1)
1. 2013(2)
1. 张彦秀 北京燕东微电子有限公司(2)
1. 电子技术、通信技术(3)
2. 半导体技术(1)
2. 2011(1)
2. 孙江超 北京工业大学(2)
3. 微电子学(1)
3. 谢雪松 北京工业大学(2)
题名
作者
来源
被引频次
1
不同发射结深LPNP晶体管的抗辐照性能研究
详细信息
吕曼;
张小玲;
张彦秀
谢雪松;
孙江超;
陈成菊;
吕长志
显示更多作者
微电子学, 2013, 43(4), 564-567
0
2
不同发射区周长面积比双极晶体管的电离辐照效应
详细信息
吕曼;
张小玲;
张彦秀
谢雪松;
孙江超;
王鹏鹏;
吕长志
显示更多作者
半导体技术, 2013, 38(3), 222-226
0
3
不同偏置条件下基区掺杂浓度对NPN双极晶体管电离辐照的影响
详细信息
席善斌;
王志宽;
陆妩
王义元;
许发月;
周东;
李明;
王飞;
杨永晖
显示更多作者
核技术, 2011, 34(3), 205-208
1
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