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高博, 原子能科学技术, 2009, 43(12), 1128-1132 被引 1 次 

检索结果分布(1)
来源 年代 作者 学科
1. 物理学报（1） 1. 2011（1） 1. 高博 中国科学院新疆理化技术研究所（1） 1. 物理学（1）
2. 任迪远 中国科学院新疆理化技术研究所（1）
3. 李豫东 中国科学院新疆理化技术研究所（1）

    题名 作者 来源 被引频次
1 静态存储器型现场可编程门阵列总剂量辐射损伤效应研究
详细信息  		高博; 余学峰; 任迪远
显示更多作者 		物理学报, 2011, 60(3), 442-447 0
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