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王志明, 红外与毫米波学报, 1997, 16(5), 335 被引 3 次 

检索结果分布(3)
来源 年代 作者 学科
1. 红外与毫米波学报(3) 1. 2005(1) 1. 牛智川 中国科学院半导体研究所(3) 1. 物理学(3)
2. 2001(1) 2. 苗振华 中国科学院半导体研究所(2)
3. 2000(1) 3. 王晓东 中国科学院半导体研究所(2)

    题名 作者 来源 被引频次
1 In0.2 Ga0.8 As-GaAs复合应力缓冲层上的1.3 μmInAs/GaAs自组织量子点
详细信息 
方志丹; 龚政; 苗振华
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红外与毫米波学报, 2005, 24(5), 324-327 0
2 InGaAs/GaAs自组织量子点光致发光特性研究
详细信息 
牛智川; 王晓东; 苗振华
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红外与毫米波学报, 2001, 20(1), 20 0
3 低温GaAs外延层上生长InAs量子点的研究
详细信息 
王晓东; 汪辉; 王海龙
显示更多作者
红外与毫米波学报, 2000, 19(3), 177 2
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