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5 篇文献引用了这篇文献
段树坤,
半导体学报, 1997, 18(5), 385 被引 5 次
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检索结果分布(5)
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题名
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作者
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来源
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被引频次
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Thermodynamic Modeling and Phase Diagrams of Hexagonal and Cubic GaN Single-Crystal Film Growth by ECR-PEMOCVD Method
详细信息
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Wang Sansheng;
Gu Biao
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半导体学报, 2004, 25(9), 1041-1047 |
0
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2
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NH_3分解率对GaN半导体MOVPE外延生长成分空间的影响
详细信息
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李长荣;
卢琳;
杜振民
显示更多作者
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稀有金属, 2002, 26(4), 241-244 |
0
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3
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NH_3,PH_3热分解对III-V族半导体MOVPE外延生长的影响
详细信息
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李长荣;
卢琳;
王福明
显示更多作者
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北京科技大学学报, 2002, 24(2), 165-168 |
0
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4
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GaN的RBS/沟道、X射线双晶衍射和光致发光谱
详细信息
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姚冬敏;
辛勇;
王立
显示更多作者
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半导体学报, 2000, 21(5), 437 |
5
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5
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Growth of GaN on magnesium aluminate substrate by LP-MOVPE
详细信息
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段树坤;
滕学会;
李国华
显示更多作者
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半导体学报, 1997, 18(10), 787 |
1
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