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王晓亮,
半导体学报, 1997, 18(7), 502 被引 1 次
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来源
年代
作者
学科
1. 半导体学报(1)
1. 1998(1)
1. 曾一平 中国科学院半导体研究所(1)
1. 电子技术、通信技术(1)
2. 孔殿照 中国科学院半导体研究所(1)
3. 王晓亮 中国科学院半导体研究所(1)
题名
作者
来源
被引频次
1
InxGa1—xAs/InP应变量子阱中激子跃迁能量随In组分的变化
详细信息
王晓亮;
孔殿照;
孔梅影
侯洵;
曾一平
显示更多作者
半导体学报, 1998, 19(6), 417
1
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