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5 篇文献引用了这篇文献
王晓亮,
半导体学报, 1997, 18(12), 935 被引 5 次
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检索结果分布(5)
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题名
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作者
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来源
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被引频次
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1
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以金属为缓冲层在Si（111）上分子束外延GaN及其表征
详细信息
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林郭强;
曾一平;
王晓亮
显示更多作者
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半导体学报, 2008, 29(10), 1998-2002 |
0
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2
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蓝宝石衬底上单晶InAlGaN外延膜的RF-MBE生长
详细信息
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王保柱;
王晓亮;
王晓燕
显示更多作者
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半导体学报, 2006, 27(8), 1382-1385 |
1
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3
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蓝宝石衬底上单晶InN外延膜的RF-MBE生长
详细信息
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肖红领;
王晓亮;
张南红
显示更多作者
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半导体学报, 2005, 26(6), 1169-1172 |
2
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4
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Al_xGa_（1-x）N and GaN/Al_xGa_（1-x）N Quantum Wells Grown by Gas Sourc
详细信息
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王晓亮;
孙殿照;
张剑平
显示更多作者
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半导体学报, 1999, 20(5), 407 |
0
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5
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GSMBE GaN 膜的电子输运性质研究
详细信息
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王晓亮;
孙殿照;
孔梅影
显示更多作者
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半导体学报, 1998, 19(12), 890 |
4
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