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康学军, 半导体学报, 1996, 17(11), 873 被引 8 次 

检索结果分布(8)
来源 年代 作者 学科
1. 半导体学报(4) 1. 2004(2) 1. 廖奇为 中国科学院半导体研究所(2) 1. 电子技术、通信技术(5)
2. 半导体光电(2) 2. 1997(1) 2. 赵路民 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所(2) 2. 物理学(2)
3. 中国激光(1) 3. 2005(1) 3. 刘云 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所(2) 3. 自动化技术、计算机技术(1)

    题名 作者 来源 被引频次
1 垂直腔面发射激光器的氧化工艺研究
详细信息 
谢浩锐; 钟景昌; 赵英杰
显示更多作者
半导体光电, 2005, 26(2), 124-127 0
2 基于AlAs氧化法研制的垂直腔面发射激光器
详细信息 
赵路民; 晏长岭; 孙艳芳
显示更多作者
半导体光电, 2004, 25(2), 98-100,114 0
3 980 nm高功率垂直腔面发射激光器
详细信息 
赵路民; 王青; 晏长岭
显示更多作者
中国激光, 2004, 31(2), 142-144 15
4 利用边发射光致发光谱研究垂直腔面发射激光器材料的特性
详细信息 
钮金真; 李国华
半导体学报, 2003, 24(10), 1067-1071 3
5 半导体激光器的微腔结构调制及其脉码在光纤中的传输
详细信息 
王英龙; 丁文革; 郑云龙
显示更多作者
半导体学报, 2002, 23(2), 178-182 3
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