帮助 关于我们

共有 篇文献引用了这篇文献
赵凯, 半导体学报, 2007, 28(7), 1139-1143 被引 5 次 

检索结果分布(5)
来源 年代 作者 学科
1. 半导体学报(2) 1. 2008(2) 1. 卢健 中国科学院新疆理化技术研究所(2) 1. 电子技术、通信技术(3)
2. 核技术(1) 2. 2009(1) 2. 李明 中国科学院新疆理化技术研究所(2) 2. 自动化技术、计算机技术(2)
3. 计算机工程与科学(1) 3. 2012(1) 3. 崔江维 中国科学院新疆理化技术研究所(2) 3. 物理学(1)

    题名 作者 来源 被引频次
1 部分耗尽绝缘层附着硅静态随机存储器总剂量辐射损伤效应的研究
详细信息 
李明; 余学峰; 薛耀国
显示更多作者
物理学报, 2012, 61(10), 106103-1-106103-7 4
2 PDSOI CMOS SRAM总剂量辐射及退火效应的研究
详细信息 
李明; 余学峰; 卢健
显示更多作者
核技术, 2011, 34(6), 452-456 4
3 基于PD SOI工艺的8 Kb抗辐照静态存储器
详细信息 
刘必慰; 陈书明; 梁斌
显示更多作者
计算机工程与科学, 2009, 31(7), 81-84 0
4 RF PDSOI LDMOS器件的电离总剂量辐照效应
详细信息 
刘梦新; 韩郑生; 毕津顺
显示更多作者
半导体学报, 2008, 29(11), 2158-2163 0
5 A Total Dose Radiation Hardened PDSOI CMOS 3-Line to 8-Line Decoder
详细信息 
Liu Mengxin; Han Zhengsheng; Li Duoli
显示更多作者
半导体学报, 2008, 29(6), 1036-1039 0
版权所有 ©2008 中国科学院文献情报中心 制作维护:中国科学院文献情报中心
地址:北京中关村北四环西路33号 邮政编码:100190 联系电话:(010)82627496 E-mail:cscd@mail.las.ac.cn 京ICP备05002861号-4 | 京公网安备11010802043238号