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共有 5 篇文献引用了这篇文献
林理彬, 四川大学学报. 自然科学版, 1995, 32(1), 39 被引 5 次

检索结果分布(5)

来源	年代	作者	学科
1. 四川大学学报. 自然科学版（1）	1. 2002（1）	1. 林理彬四川大学（3）	1. 电子技术、通信技术（3）
2. 半导体学报（1）	2. 2022（1）	2. 黄万霞四川大学（2）	2. 物理学（2）
3. 原子能科学技术（1）	3. 2000（1）	3. Ai Likun 中国科学院上海微系统与信息技术研究所（1）

	题名	作者	来源	被引频次
1	磷化铟高电子迁移率晶体管外延结构材料抗电子辐照加固设计详细信息	周书星; 方仁凤; 魏彦锋陈传亮; 曹文彧; 张欣; 艾立鹍; 李豫东; 郭旗显示更多作者	物理学报, 2022, 71(3)	0
2	Effects of Electron Irradiation at Different Energy and Fluences on Electrical Properties of InP HEMT Structure 详细信息	Zhou Shuxing; Fang Renfeng; Chen Chuanliang Zhang Xin; Wei Yanfeng; Cao Wenyu; Lei Shulai; Ai Likun 显示更多作者	原子能科学技术, 2021, 55(12), 2274-2281	1
3	带电粒子辐射对GaAs/AlGaAs多量子阱光学性质的影响详细信息	邹睿; 林理彬	固体电子学研究与进展, 2002, 22(4), 404-407	3
4	粒子束辐照在AlGaAs/GaAs量子阱材料中引入的深能级缺陷详细信息	廖志君; 林理彬; 黄万霞孔梅影显示更多作者	四川大学学报. 自然科学版, 2000, 37(5), 715	3
5	质子辐照对GaAs/AlGaAs多量子阱材料光学性质的影响详细信息	黄万霞; 林理彬; 曾一平潘量显示更多作者	半导体学报, 1999, 20(11), 957	5