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牛振红, 核技术, 2007, 30(1), 37-39 被引 4 次 

检索结果分布(4)
来源 年代 作者 学科
1. 发光学报(1) 1. 2009(1) 1. 王荣 北京师范大学(2) 1. 电工技术(2)
2. 核技术(1) 2. 2008(1) 2. 孙旭芳 北京师范大学(2) 2. 物理学(1)
3. 半导体学报(1) 3. 2007(1) 3. 刘运宏 北京师范大学(2) 3. 电子技术、通信技术(1)

    题名 作者 来源 被引频次
1 1 MeV电子辐照下晶格匹配与晶格失配GaInP/GaInAs/Ge三结太阳电池辐射效应研究
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李占行; 艾尔肯·阿不都瓦衣提; 玛丽娅·黑尼
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发光学报, 2017, 38(4), 463-469 3
2 GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池的电子辐照损伤效应
详细信息 
胡建民; 吴宜勇; 钱勇
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物理学报, 2009, 58(7), 5051-5056 8
3 0.28-2.80MeV质子辐射对空间实用GaInP/GaAs/Ge多结太阳电池性能的影响
详细信息 
刘运宏; 孙旭芳; 王荣
核技术, 2008, 31(1), 47-49 0
4 国产高效GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池的低能质子辐射效应
详细信息 
王荣; 刘运宏; 孙旭芳
显示更多作者
半导体学报, 2007, 28(10), 1599-1602 3
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