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杨斌, 半导体学报, 1995, 16(4), 248 被引 4 次 

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来源 年代 作者 学科
1. 半导体学报(2) 1. 1996(1) 1. 梁基本 中国科学院半导体研究所(2) 1. 物理学(3)
2. 中国科学基金(1) 2. 1995(1) 2. 廖奇为 中国科学院半导体研究所(1) 2. 电子技术、通信技术(2)
3. 红外与毫米波学报(1) 3. 2016(1) 3. 黄绮 中国科学院物理研究所(1)

    题名 作者 来源 被引频次
1 GaAs /AlGaAs双量子阱实空间转移效应模拟与实验
详细信息 
余成章; 靳川; 白治中
显示更多作者
红外与毫米波学报, 2016, 35(4), 407-411 0
2 掺In对反型AlGaAs/GaAs异质界面质量的改善及其应用
详细信息 
尚勋忠; 王文冲; 郭丽伟
显示更多作者
半导体学报, 2004, 25(9), 1128-1131 0
3 高质量二维电子气材料研制及其器件应用
详细信息 
夏传--; 梁基本
中国科学基金, 1996(1), 54 0
4 高电子迁移率GaAs/Al↓xGa↓(1-x)As二维电子气(2DEG)异质结结构参数优化研究
详细信息 
杨斌; 王占国; 陈涌海
显示更多作者
半导体学报, 1995, 16(9), 706 0
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