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8 篇文献引用了这篇文献
陆大成,
半导体学报, 1995, 16(11), 831 被引 8 次
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检索结果分布(8)
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题名
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作者
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来源
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被引频次
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径向三重流MOCVD反应器生长GaN的数值模拟
详细信息
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张红;
左然
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人工晶体学报, 2009, 38(4), 938-942 |
1
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2
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α-Al_2O_3上生长GaN过程中氮化的研究
详细信息
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王艳艳;
秦福文;
马世猛
显示更多作者
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红外与激光工程, 2007, 36(5), 721-724 |
0
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3
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喷淋式GaN-MOCVD反应室的CFD数值仿真及优化
详细信息
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杨云柯;
高立华;
陈海昕
显示更多作者
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工程力学, 2007, 24(9), 173-178 |
4
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4
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GaN的ECR—PEMOCVD生长中衬底清洗和氮化的分析
详细信息
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马世猛;
徐茵;
顾彪
显示更多作者
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半导体技术, 2006, 31(3), 212-216 |
0
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5
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GaN-MOCVD设备反应室流场的CFD数值仿真
详细信息
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刘奕;
陈海昕;
符松
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半导体学报, 2004, 25(12), 1639-1646 |
6
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