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共有 2 篇文献引用了这篇文献
孙殿照, 半导体学报, 1995, 16(10), 725 被引 2 次 

检索结果分布(2)
来源 年代 作者 学科
1. 半导体学报（2） 1. 1997（1） 1. 李爱珍 中国科学院上海微系统与信息技术研究所（1） 1. 电子技术、通信技术（2）
2. 2001（1） 2. 陈建新 中国科学院上海微系统与信息技术研究所（1）
3. 曾一平 中国科学院半导体研究所（1）

    题名 作者 来源 被引频次
1 GSGSMBE生长 1.84μm波长 InGaAs/InGaAsP应变量子阱激光器（英文）
详细信息  		柏劲松; 方祖捷; 张云妹
显示更多作者 		半导体学报, 2001, 22(2), 126 0
2 匹配In↓（0.53）Ga↓（0.47）As/InP量子阱材料的GSMBE生长及特性分析
详细信息  		王晓亮; 孙殿照; 孔梅影
显示更多作者 		半导体学报, 1997, 18(6), 401 0
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