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徐仲英, 半导体学报, 1995, 16(2), 101 被引 1 次 

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来源 年代 作者 学科
1. 半导体学报(1) 1. 2004(1) 1. Zhang Zhigang 北京工业大学(1) 1. 电子技术、通信技术(1)
2. Ma Xiaoyu 中国科学院半导体研究所(1)
3. Li Chaoyang 北京工业大学(1)

    题名 作者 来源 被引频次
1 Passive Q-Switching in a Flash-Lamp Pumped Nd:YAG Laserwith Ion-Implanted G aAs Wafer
详细信息 
Wang Yonggang; Li Chaoyang; Ma Xiaoyu
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半导体学报, 2004, 25(2), 148-151 6
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