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杨国文, 半导体学报, 1994, 15(9), 650 被引 5 次 

检索结果分布(5)
来源 年代 作者 学科
1. 半导体学报(5) 1. 1996(3) 1. 杨国文 中国科学院半导体研究所(3) 1. 电子技术、通信技术(3)
2. 1997(1) 2. 张敬明 中国科学院半导体研究所(3) 2. 物理学(2)
3. 1995(1) 3. 徐俊英 中国科学院半导体研究所(3)

    题名 作者 来源 被引频次
1 GaAs/Al↓xGa↓(1-x)As多量子阱掩埋条形激光器
详细信息 
李世祖; 张敬明; 杨国文
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半导体学报, 1996, 17(4) 0
2 高温连续输出AlGaAs大功率单量子阱激光器的工作特性
详细信息 
朱东海; 王占国; 梁基本
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半导体学报, 1997, 18(5), 391 1
3 窄发散角量子阱激光器的结构设计与分析
详细信息 
杨国文; 徐俊英; 张敬明
显示更多作者
半导体学报, 1996, 17(7), 500 2
4 MOCVD生长大功率单量子阱激光器
详细信息 
郑联喜; 肖智博; 韩勤
显示更多作者
半导体学报, 1996, 17(5), 392 1
5 高质量GaAs-AlGaAs材料MBE生长研究及其应用
详细信息 
杨国文; 肖建伟; 徐遵图
显示更多作者
半导体学报, 1995, 16(8), 627 2
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