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陈克铭,
半导体学报, 1994, 15(6), 383 被引 1 次
检索结果分布(1)
来源
年代
作者
学科
1. 半导体学报（1）
1. 1996（1）
1. 丁辛芳 东南大学（1）
1. 电子技术、通信技术（1）
2. 童勤义 东南大学（1）
3. 牛蒙年 东南大学（1）
题名
作者
来源
被引频次
1
Si↓3N↓4绝缘栅中两种表面基对pH-ISFET器件敏感特性的影响
详细信息
牛蒙年;
丁辛芳;
童勤义
半导体学报, 1996, 17(7), 522
2
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