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袁瑞霞,
半导体学报, 1994, 15(5), 312 被引 1 次
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来源
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作者
学科
1. 半导体学报(1)
1. 1996(1)
1. 曾一平 中国科学院半导体研究所(1)
1. 物理学(1)
2. 阎春辉 中国科学院半导体研究所(1)
3. 国红熙 中国科学院半导体研究所(1)
题名
作者
来源
被引频次
1
气态源分子束外延InP和InAs基Ⅲ-V族化合物材料
详细信息
袁瑞霞;
阎春辉;
国红熙
李晓兵;
朱世荣;
曾一平;
李灵霄;
孔梅影
显示更多作者
半导体学报, 1996, 17(1), 6
1
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