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金高龙,
半导体学报, 1993, 14(11), 681 被引 1 次
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来源
年代
作者
学科
1. 半导体学报（1）
1. 1994（1）
1. 许振嘉 中国科学院半导体研究所（1）
1. 物理学（1）
2. 金高龙 中国科学院半导体研究所（1）
2. 电子技术、通信技术（1）
3. 陈维德 中国科学院半导体研究所（1）
题名
作者
来源
被引频次
1
CoSi↓2可望成为GaAs MESFET自对准工艺中的栅材料
详细信息
金高龙;
陈维德;
许振嘉
半导体学报, 1994, 15(8), 518
0
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