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黄大定, 半导体学报, 1993, 14(8), 509 被引 1 次 

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来源 年代 作者 学科
1. 半导体学报（1） 1. 1995（1） 1. 姚振钰 中国科学院半导体研究所（1） 1. 物理学（1）
2. 任治璋 中国科学院半导体研究所（1）
3. 任庆余 中国科学院半导体研究所（1）

    题名 作者 来源 被引频次
1 用低能离子束淀积技术在硅（111）衬底上生长氧化铈外延薄膜
详细信息  		黄大定; 秦复光; 姚振钰
显示更多作者 		半导体学报, 1995, 16(2), 153 1
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