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张华林, 半导体学报, 2004, 25(12), 1675-1679 被引 9 次 

检索结果分布(9)
来源 年代 作者 学科
1. 核技术(3) 1. 2005(3) 1. 陆妩 中国科学院新疆理化技术研究所(6) 1. 电子技术、通信技术(9)
2. 物理学报(2) 2. 2011(2) 2. 郭旗 中国科学院新疆理化技术研究所(5) 2. 物理学(1)
3. 核电子学与探测技术(1) 3. 2018(1) 3. 任迪远 中国科学院新疆理化技术研究所(4)

    题名 作者 来源 被引频次
1 国产pnp双极晶体管在宽总剂量范围辐照下的ELDRS
详细信息 
魏昕宇; 陆妩; 李小龙
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半导体技术, 2018, 43(5), 369-374 0
2 双极电压比较器电离辐射损伤及剂量率效应分析
详细信息 
马武英; 陆妩; 郭旗
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物理学报, 2014, 63(2), 026101-1-026101-7 2
3 抗辐射双极n-p-n晶体管的研究
详细信息 
翟亚红; 李平; 张国俊
显示更多作者
物理学报, 2011, 60(8), 088501-1-088501-5 5
4 不同偏置条件下基区掺杂浓度对NPN双极晶体管电离辐照的影响
详细信息 
席善斌; 王志宽; 陆妩
显示更多作者
核技术, 2011, 34(3), 205-208 1
5 工艺条件对双极晶体管低剂量率辐射损伤增强效应的影响
详细信息 
陆妩; 郑玉展; 任迪远
显示更多作者
原子能科学技术, 2010, 44(1), 114-120 5
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