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共有 3 篇文献引用了这篇文献
江德生, 半导体学报, 1992, 13(6), 333 被引 3 次 

检索结果分布(3)
来源 年代 作者 学科
1. 光谱学与光谱分析（2） 1. 2001（1） 1. 付方正 南昌大学（2） 1. 物理学（2）
2. 半导体学报（1） 2. 2000（1） 2. 邹德恕 北京工业大学（1） 2. 电子技术、通信技术（1）
3. 1999（1） 3. 杜金玉 北京工业大学（1）

    题名 作者 来源 被引频次
1 电场对量子阱中激子能级宽度的影响
详细信息  		付方正
光谱学与光谱分析, 2001, 21(6), 749 7
2 电场对量子阱中自由载流子光辐射线宽的影响
详细信息  		付方正
光谱学与光谱分析, 1999, 19(6), 785 2
3 Novel Type of Wide-Bandwidth GaAs/AlGa As Infrared Photodetectors
详细信息  		史衍丽; 邓军; 尹洁
显示更多作者 		半导体学报, 2000, 21(7), 630 0
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