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张建, 电子元件与材料, 2004, 23(3), 20-22 被引 2 次 

检索结果分布(2)
来源 年代 作者 学科
1. 电子元件与材料（1） 1. 2005（2） 1. 丛秀云 中国科学院新疆理化技术研究所（2） 1. 电子技术、通信技术（2）
2. 半导体学报（1） 2. 陈朝阳 中国科学院新疆理化技术研究所（2）
3. 蔡志军 中国科学院新疆理化技术研究所（2）

    题名 作者 来源 被引频次
1 Zn掺杂n型硅材料的补偿研究
详细信息  		蔡志军; 巴维真; 陈朝阳
显示更多作者 		电子元件与材料, 2005, 24(6), 24-26 3
2 深能级杂质Zn对n型硅半导体的补偿特性
详细信息  		蔡志军; 巴维真; 陈朝阳
显示更多作者 		半导体学报, 2005, 26(6), 1140-1143 5
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