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共有 3 篇文献引用了这篇文献
王占国, 化工进展, 2004, 23(2), 117-126 被引 3 次 

检索结果分布(3)
来源 年代 作者 学科
1. 电子元件与材料（1） 1. 2018（1） 1. 任格格 辽宁工程技术大学（1） 1. 电子技术、通信技术（2）
2. 半导体学报（1） 2. 2005（1） 2. 解新建 河北工业大学（1） 2. 电工技术（1）
3. 半导体技术（1） 3. 2010（1） 3. 丁红旗 辽宁工程技术大学（1）

    题名 作者 来源 被引频次
1 单晶黑硅结构的制备及其陷光性能
详细信息  		任格格; 丁红旗
电子元件与材料, 2018, 37(5), 40-46 0
2 MOCVD外延生长GaN材料的技术进展
详细信息  		张冠英; 梅俊平; 解新建
半导体技术, 2010, 35(3), 201-204 3
3 量子点的原子力显微镜测试结果分析：数学形态学的实现
详细信息  		金峰; 鲁华祥; 李凯
显示更多作者 		半导体学报, 2005, 26(11), 2120-2126 0
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