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5 篇文献引用了这篇文献
仇志军,
物理学报, 2003, 52(11), 2879-2882 被引 5 次
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检索结果分布(5)
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题名
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作者
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来源
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被引频次
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In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As量子阱中的正磁电阻效应
详细信息
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商丽燕;
林铁;
周文政
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物理学报, 2008, 57(8), 5232-5236 |
1
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2
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两个子带占据的In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As量子阱中填充因子的变化规律
详细信息
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商丽燕;
林铁;
周文政
显示更多作者
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物理学报, 2008, 57(6), 3818-3822 |
1
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3
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In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As量子阱中双子带占据的二维电子气的输运特性
详细信息
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商丽燕;
林铁;
周文政
显示更多作者
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物理学报, 2008, 57(4), 2481-2485 |
2
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4
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双δ掺杂In_(0.65)Ga_(0.35)As/In_(0.52)Al_(0.48)As赝型高迁移率晶体管材料子带电子特性研究
详细信息
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周文政;
林铁;
商丽燕
显示更多作者
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物理学报, 2007, 56(7), 4143-4147 |
2
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5
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InP基HEMT器件中二维电子气浓度及分布与沟道层厚度关系的理论分析
详细信息
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李东临;
曾一平
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物理学报, 2006, 55(7), 3677-3682 |
2
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