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共有 3 篇文献引用了这篇文献
江德生, 半导体学报, 1991, 12(3), 136 被引 3 次 

检索结果分布(3)
来源 年代 作者 学科
1. 半导体学报（1） 1. 1996（2） 1. 牛智川 中国科学院半导体研究所（1） 1. 物理学（2）
2. 物理学报（1） 2. 1998（1） 2. 张耀辉 中国科学院半导体研究所（1） 2. 电子技术、通信技术（2）
3. 固体电子学研究与进展（1） 3. 王玉田 中国科学院半导体研究所（1）

    题名 作者 来源 被引频次
1 GaAs脊形量子线发光性质的光致发光谱研究
详细信息  		牛智川; 袁之良; 周增圻
显示更多作者 		半导体学报, 1998, 19(11), 871 0
2 GaInAs/AlInAs调制掺杂结构材料的光学性质研究
详细信息  		江德生; 刘伟; 张耀辉
显示更多作者 		固体电子学研究与进展, 1996, 16(2), 121 0
3 InGaAs/InAlAs多量子阱结构的量子限制Stark效应研究
详细信息  		俞谦; 王健华; 李德杰
显示更多作者 		物理学报, 1996, 45(2), 274 0
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