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共有 2 篇文献引用了这篇文献
钟战天, 半导体学报, 1990, 11(2), 104 被引 2 次 

检索结果分布(2)
来源 年代 作者 学科
1. 中国科学技术大学学报（2） 1. 1996（2） 1. 楼立人 中国科学技术大学（2） 1. 物理学（1）
2. 尹民 中国科学技术大学（2） 2. 电子技术、通信技术（1）
3. 徐叙-- 天津理工大学（1） 3. 自动化技术、计算机技术（1）

    题名 作者 来源 被引频次
1 常压MOCVD法在多孔硅上生长GaAs
详细信息  		尹民; 楼立人; 张学兵
显示更多作者 		中国科学技术大学学报, 1996, 26(3), 284 0
2 低压MOCVD法生长GaAs/Si单晶膜及膜的特性研究
详细信息  		尹民; 楼立人; 尾锅研太郎
中国科学技术大学学报, 1996, 26(2), 228 0
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