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郭良, 半导体学报, 1990, 11(10), 780 被引 1 次 

检索结果分布(1)
来源 年代 作者 学科
1. 半导体学报（1） 1. 1996（1） 1. 尹红坤 北京大学（1） 1. 物理学（1）
2. 宁宝俊 北京大学（1）
3. 高玉芝 北京大学（1）

    题名 作者 来源 被引频次
1 全离子注入自对准难熔金属氮化物复合栅GaAs MESFET技术研究
详细信息  		高玉芝; 张利春; 尹红坤
显示更多作者 		半导体学报, 1996, 17(1), 27 0
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